Русский    English
220072 Республика Беларусь г.Минск ул.Сурганова 9/1
Тел. (+375) 17 332 16 40
Отдел минеральных удобрений
Отдел композиционных материалов
Лаборатория нефтяных и органо-минеральных дисперсий
Лаборатория полимерсодержащих дисперсных систем
Лаборатория магниевых соединений
Отдел специальных материалов, фотохимии и электрохимии
Лаборатория фотохимии и электрохимии
Лаборатория специальных материалов
Научно-исследовательские лаборатории
Лаборатория адсорбентов и адсорбционных процессов
Лаборатория химии лакокрасочных и вяжущих материалов
Лаборатория физико-химических исследований и агрохимических испытаний
Информационно-аналитический патентный отдел
Опытно-экспериментальный проектно-технологический отдел
Лаборатория технологии неорганических солей
Экспериментально-технологические участки
Опытно-экспериментальный участок «Свислочь»
Опытно-технологический участок производства керамических фильтр элементов
Опытно-технологический участок производства порошковых красок
ГНПО "Химические продукты и технологии"

Информационно-аналитический патентный отдел


Заведующий отделом
Зуськова Татьяна Андреевна,

кандидат химических наук

тел.: (+375 17) 285 72 99,
zuskova@igic.bas-net.by

Работают 3 сотрудника, в том числе 1 кандидатат наук.

Основные направления деятельности отдела:
подготовка аналитических докладов, прогнозов по основным направлениям

научно-технического развития химической отрасли на текущий и перспективный периоды на основе анализа мировых достижений, научного потенциала и технического уровня производства;
сопровождение государственных программ научных исследований,обеспечение отделов и лабораторий Института научно-технической информацией по основным направлениям деятельности;
подготовка информационных материалов об Институте и его разработках, реклама научных разработок на русском и английском языках на выставках различного уровня;
проведение государственной регистрации НИР в БелИСА в соответствии с действующим законодательством;
патентная защита новых технических решений, их реализация на лицензионной основе.